Portada » Química » Fundamentos y Funcionamiento de Detectores de Neutrones y Semiconductores
Los neutrones son partículas sin carga eléctrica y, por lo tanto, no producen ionización directa al interaccionar con la materia. Su detección se basa en la transmisión energética, que tiene lugar al producirse una dispersión elástica con los núcleos atómicos o mediante una reacción nuclear.
Para que un detector detecte neutrones, debe haber abundantes dispersiones o reacciones nucleares, ya que lo que se mide es la ionización secundaria producida por los núcleos golpeados.
Existen diferentes métodos para detectar neutrones, clasificados según su energía:
La utilidad de estos detectores en protección radiológica es poco frecuente, pero son de gran importancia y frecuencia en las centrales nucleares.
Los detectores de semiconducción aprovechan las propiedades eléctricas de ciertos sólidos cristalinos. Estos sólidos se distinguen en tres categorías según su capacidad para conducir la corriente:
El comportamiento de estos materiales se explica mediante la teoría de bandas energéticas. En un átomo aislado, los electrones ocupan niveles energéticos discretos. Cuando los átomos se unen para formar una estructura cristalina, estos niveles se distorsionan, dando lugar a las bandas energéticas, que se organizan en orden creciente de energía (E) y están separadas por un intervalo prohibido (banda prohibida).
Cuando una partícula incide y penetra en la cavidad del sólido semiconductor, ioniza el medio. Los electrones liberados suben a la banda de conducción, mientras que los iones positivos o huecos quedan en la banda de Valencia. Estos huecos atraen y capturan nuevos electrones, dando lugar a una corriente eléctrica.
Los semiconductores generan una señal en forma de corriente ante la presencia de radiación externa, ya sea por el exceso de electrones fácilmente desprendibles o por el exceso de huecos positivos que capturan nuevos electrones.
Se distinguen dos tipos principales:
El dopaje crea configuraciones inestables que facilitan la conductividad:
Existen detectores de semiconducción homogéneos (de tipo P o N) y heterogéneos (detector de unión), formados por la unión de materiales de tipo P-N.
En el detector de unión, se produce una acumulación de carga positiva y negativa a cada lado de la unión con el mismo valor, formando un dipolo eléctrico similar al de los detectores de gas, pero en material sólido. Cuando la radiación incidente ioniza la zona útil del detector, los electrones liberados y los iones residuales se desplazan hacia los bordes del semiconductor bajo la acción del campo eléctrico originado por el dipolo.
Al tener una energía de ionización menor, a temperatura ambiente se crean pares electrón-hueco no deseados (ruido electrónico), lo que dificulta la lectura de la señal. Este ruido se evita mediante el enfriamiento constante del detector, generalmente con la circulación de nitrógeno líquido.
